--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 20V
- VGS 20(±V)
- Vth 0.5~1.5V
- RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=4.5V
- ID 100A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### NTD80N02-001-VB 产品简介
NTD80N02-001-VB 是一款高性能的单N通道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为低电压和高电流应用设计。其优异的导通性能和低导通电阻使其在多种开关和电源管理应用中表现出色。NTD80N02-001-VB 采用先进的 Trench 技术,能够在多种负载条件下提供稳定的性能,是现代电子设备中不可或缺的组件。
### 详细参数说明
- **型号**: NTD80N02-001-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单N通道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 20V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 0.5V ~ 1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS = 2.5V
- 4.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏极电流 (ID)**: 100A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块示例
1. **电源管理**: NTD80N02-001-VB 的低导通电阻使其在开关电源和直流-直流转换器中表现优异,能够有效降低能量损耗,提高系统的整体效率。
2. **电动交通工具**: 该 MOSFET 在电动汽车和电动摩托车中可处理高电流需求,确保快速响应和高可靠性,非常适合高功率应用。
3. **工业自动化**: NTD80N02-001-VB 在自动化控制系统中非常有效,适用于驱动负载和电源管理,提供卓越的性能和稳定性。
4. **消费电子产品**: 此 MOSFET 适合用于电视、音响系统和计算机电源等设备,有效管理功率,提高设备效率,延长使用寿命。
5. **LED驱动器**: 在 LED 照明解决方案中,NTD80N02-001-VB 可以作为高效的开关元件,支持调光和节能功能,提升整体照明体验。
希望这些信息能帮助您更好地了解 NTD80N02-001-VB 的性能和应用!
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12