### 产品简介
NTD65N03RT4G-VB是一款高效能的N沟道MOSFET，采用TO252封装，具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于多种功率管理和开关应用。
### 详细参数说明
- **封装**：TO252
- **配置**：Single-N-Channel
- **最大漏源电压（VDS）**：30V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：3mΩ @ VGS=4.5V，2mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流（ID）**：100A
- **技术**：Trench技术
### 应用领域和模块
NTD65N03RT4G-VB广泛应用于电源转换器、DC-DC变换器和电动机驱动电路中，尤其适合于需要高效率和低热量生成的场合。此外，它也可用于电池管理系统和高频开关电源，满足快速切换和高负载需求。
