--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 100V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.8V
- RDS(ON) 55mΩ@VGS=10V
- ID 25A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### NTD6416ANT4G-VB 产品简介
NTD6416ANT4G-VB 是一款高效能的 N-Channel MOSFET,采用 TO252 封装,专为高电压和高电流应用设计。该 MOSFET 的最大漏极电压可达 100V,最大漏极电流可达 25A,结合低导通电阻特性,能够在各种电源管理和开关控制应用中提供优越的性能。其卓越的开关速度和热性能使其成为现代电子设计中的理想选择。
### 详细参数说明
- **封装类型**: TO252
- **配置**: Single-N-Channel
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 100V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 57mΩ @ VGS=4.5V
- 55mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 25A
- **技术**: Trench
### 应用领域与模块示例
1. **开关电源**: NTD6416ANT4G-VB 可在开关电源(SMPS)中高效转换电能,适用于各种电源模块,如计算机电源和工业电源,提升整体效率。
2. **电动机控制**: 该 MOSFET 在电动机驱动应用中能够处理高电流,确保电动机在启动和运行时的稳定性,广泛应用于工业自动化和家用电器。
3. **LED 驱动**: 在 LED 照明应用中,NTD6416ANT4G-VB 能够高效地控制 LED 的亮灭和调光功能,适合用于节能照明和智能照明系统。
4. **电池管理系统**: 作为电池管理系统中的重要组件,此 MOSFET 可高效管理电池的充放电过程,确保电池的安全和长寿命,广泛应用于电动汽车和便携式设备。
5. **消费电子产品**: NTD6416ANT4G-VB 由于其高性能和低功耗特性,在智能手机、平板电脑等消费电子设备中广泛应用,提升设备的能效和使用体验。
通过这些应用示例,NTD6416ANT4G-VB 展现了其在多个领域的广泛适用性和重要性,成为现代电子设计中不可或缺的关键组件。
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