--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 100V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.8V
- RDS(ON) 30mΩ@VGS=10V
- ID 40A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
NTD6415ANLT4G-VB是一款高性能的N-Channel MOSFET,采用TO252封装,专为高电压和中等电流应用设计。凭借其优越的导通电阻和卓越的开关特性,该器件在电源管理和驱动电路中展现出色性能,特别适合对效率和可靠性有较高要求的应用场合。
### 详细参数说明
- **配置**:单N通道
- **封装**:TO252
- **VDS**:100V
- **VGS**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 35mΩ @ VGS=4.5V
- 30mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**:40A
- **技术**:Trench技术
### 应用领域和模块
NTD6415ANLT4G-VB广泛应用于电源转换、电机控制和LED照明等多个领域。在开关电源和DC-DC转换器中,该MOSFET能够显著提高转换效率,降低热损失,优化整体性能。在电动交通工具和工业自动化中,其高电压和高电流处理能力确保系统的可靠性和稳定性。此外,该器件的快速开关特性也使其非常适合高频应用,帮助提升系统效率和响应速度。
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