### NTD5N50T4-VB 产品简介
NTD5N50T4-VB 是一款高压 N 型 MOSFET，采用 TO252 封装，适用于高达 650V 的电压环境。该器件采用 SJ_Multi-EPI 技术，确保优越的性能和可靠性，适合多种应用场景。
### 详细参数说明
- **封装**: TO252
- **配置**: 单 N 通道
- **VDS**: 650V
- **VGS**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **RDS(ON)**: 1000mΩ @ VGS=10V
- **漏电流 (ID)**: 5A
- **技术**: SJ_Multi-EPI
### 应用领域和模块
NTD5N50T4-VB 适用于电源管理、LED 驱动、DC-DC 转换器和工业自动化等领域。其高压能力和低导通电阻使其非常适合用于电机控制、开关电源和各种功率转换模块，能够在苛刻环境下提供稳定的性能。
