--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 40V
- VGS 20(±V)
- Vth 2.5V
- RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
- ID 85A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
NTD5803NT4G-VB是一款高性能的单N通道MOSFET,封装为TO252,适用于高效的开关和放大应用。其低导通电阻和高电流能力使其在各种电子设备中表现优异。
### 详细参数说明
- **封装**: TO252
- **配置**: 单N通道
- **VDS**: 40V
- **VGS**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 6mΩ @ VGS=4.5V;5mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**: 85A
- **技术**: Trench技术
### 应用领域和模块
NTD5803NT4G-VB广泛应用于电源管理模块、DC-DC变换器及电动机驱动电路等领域。由于其卓越的热管理性能和高效率,它适合在汽车电子、消费电子及工业设备等各种环境中使用,确保系统的稳定性与可靠性。
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