--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
- ID 100A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### NTD4904NT4G-VB 产品简介
NTD4904NT4G-VB 是一款高效的 N-Channel MOSFET,采用 TO252 封装,专为高电流和高效能应用设计。其 VDS 达到 30V,适合在多种电源管理和驱动电路中使用。凭借其低导通电阻和卓越的热性能,这款 MOSFET 在高功率转换场合中表现出色,能够满足现代电子产品对效率和可靠性的需求。
### 详细参数说明
- **型号**: NTD4904NT4G-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单 N 通道
- **VDS (漏源电压)**: 30V
- **VGS (栅源电压)**: ±20V
- **Vth (阈值电压)**: 1.7V
- **RDS(ON) (导通电阻)**:
- 3mΩ @ VGS = 4.5V
- 2mΩ @ VGS = 10V
- **ID (最大漏电流)**: 100A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块示例
1. **电源管理**: NTD4904NT4G-VB 在 DC-DC 转换器中表现优异,能有效降低导通损耗,提高电源转换效率,适合各种电源模块和充电器设计。
2. **电机驱动**: 该 MOSFET 适用于直流电机和步进电机驱动电路,其高漏电流能力确保在电机启动和运行时能够提供稳定的电流支持。
3. **消费电子**: 在手机、平板电脑等消费电子产品中,NTD4904NT4G-VB 可用作电源开关,帮助优化能效,并在高负载情况下保持可靠性。
4. **可再生能源**: 在太阳能逆变器和电池管理系统中,此款 MOSFET 可有效提升功率转换效率,支持更长的运行时间和更高的系统稳定性。
通过这些应用示例,NTD4904NT4G-VB 显示出其在高效能电路中的重要性和广泛适用性。
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