### 产品简介
NTD4858NT4G-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，采用TO252封装，专为高电流和低电阻应用设计，适用于各种电源管理和开关应用。其优秀的导通电阻和较低的热损耗使其在高效能转换中表现突出。
### 详细参数说明
- **封装类型**：TO252
- **配置**：单N沟道
- **漏极源极电压（VDS）**：30V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
- 4.5V时：3mΩ
- 10V时：2mΩ
- **最大漏极电流（ID）**：100A
- **技术**：Trench
### 应用领域和模块
NTD4858NT4G-VB广泛应用于电源管理系统，如DC-DC转换器和电池管理系统，因其低导通电阻和高效率而成为电源开关设计的理想选择。此外，它也适用于电机驱动、负载开关和功率放大器等高电流需求的模块，提供高效能和可靠性。
