--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 20V
- VGS 20(±V)
- Vth 0.5~1.5V
- RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=4.5V
- ID 100A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### NTD4858NAG-VB 产品简介
NTD4858NAG-VB 是一款高效的 N-Channel MOSFET,采用 TO252 封装,专为低电压和高电流应用设计。凭借其出色的导通电阻和快速开关能力,该型号在电源管理、开关控制及其他高效能电子设备中表现优异。其最大漏极电流可达 100A,使其在多种高功率应用中具有极佳的适应性。
### 详细参数说明
- **封装类型**: TO252
- **配置**: Single-N-Channel
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 20V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS=2.5V
- 4.5mΩ @ VGS=4.5V
- **最大漏极电流 (ID)**: 100A
- **技术**: Trench
### 应用领域与模块示例
1. **开关电源**: NTD4858NAG-VB 适用于开关电源(SMPS),能够高效地实现能量转换并降低系统功耗,适合各种电源管理方案,如计算机电源和充电器。
2. **电动机驱动**: 在电动机控制应用中,该 MOSFET 可以处理高电流,确保电动机在不同负载下的稳定运行,广泛用于工业自动化和家用电器的驱动控制。
3. **LED 驱动**: 此 MOSFET 在 LED 照明系统中可以作为高效的开关元件,控制 LED 的亮灭和调光功能,适合于节能照明和智能家居解决方案。
4. **电池管理系统**: NTD4858NAG-VB 能够高效管理电池电流流向,确保电池的安全性和可靠性,广泛应用于电动汽车和便携式电子设备中。
5. **消费电子产品**: 由于其高性能和低功耗特性,该 MOSFET 在消费电子产品中有广泛应用,包括智能手机、平板电脑和其他电子设备的电源管理,提升设备的能效和使用寿命。
通过这些应用示例,NTD4858NAG-VB 展现了其在多种领域的广泛适用性和重要性,成为现代电子设计中不可或缺的关键组件。
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