--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
- ID 80A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
NTD4809NHT4G-VB是一款高效能的N-Channel MOSFET,采用TO252封装,专为高电流和中等电压应用设计。凭借其出色的低导通电阻和快速开关特性,该器件在电源管理和驱动电路中表现优异,非常适合高效率和高负载的应用场合。
### 详细参数说明
- **配置**:单N通道
- **封装**:TO252
- **VDS**:30V
- **VGS**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS=4.5V
- 5mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**:80A
- **技术**:Trench技术
### 应用领域和模块
NTD4809NHT4G-VB广泛应用于电源转换、马达控制和LED驱动等领域。在开关电源和DC-DC转换器中,该MOSFET能够显著提高系统效率,减少热损失,增强整体性能。在电动车辆和工业自动化应用中,其高电流处理能力使其能够应对严苛的工作环境,确保系统的可靠性和稳定性。此外,由于其快速响应特性,它也非常适合高频开关应用,有助于进一步提升系统效率。
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