--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
- ID 100A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**NTD4805NG-VB**是一款高效能的单N通道MOSFET,采用TO252封装,专为低电压和高电流应用设计。其额定漏源电压为30V,具备极低的导通电阻,使其在电源管理和开关电路中表现优异。该器件采用Trench技术,确保快速开关响应和高能效,适合现代电子设备对性能和可靠性的高要求。
### 详细参数说明
- **型号**: NTD4805NG-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单N通道
- **漏源电压(VDS)**: 30V
- **栅源电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 3mΩ @ VGS = 4.5V
- 2mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流(ID)**: 100A
- **技术**: Trench技术
### 应用领域和模块示例
1. **电源管理**:
- NTD4805NG-VB广泛应用于高效开关电源和电源转换器,其极低的导通电阻显著提高系统效率,降低能耗,特别适合高负载电路。
2. **电动交通工具**:
- 在电动汽车和电动摩托车的电机控制系统中,该MOSFET作为高效的开关元件,能够实现快速响应,提升整体驱动性能。
3. **LED驱动**:
- 该器件适用于LED驱动电路,能够稳定调节LED电流,确保亮度一致性,广泛应用于照明和背光模块中。
4. **DC-DC转换器**:
- NTD4805NG-VB可作为DC-DC转换器中的主开关,支持高转换效率,适合便携式设备和电池供电系统,优化能效。
5. **消费电子产品**:
- 在智能家居设备及其他消费电子产品中,该MOSFET能优化电源管理,提升设备的整体能效和续航能力。
凭借其卓越的性能和可靠性,NTD4805NG-VB成为现代电子设计中的理想选择。
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