### 产品简介
NTD4302T4G-VB是一款高效的N沟道MOSFET，采用TO252封装，设计用于要求高导电性和快速开关能力的应用。该产品采用先进的Trench技术，提供极低的导通电阻，适合高频和高电流场合，确保系统的高效能和稳定性。
### 详细参数说明
- **配置**: 单个N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 6mΩ（VGS=4.5V），5mΩ（VGS=10V）
- **最大漏电流 (ID)**: 80A
- **技术**: Trench技术
### 应用领域
NTD4302T4G-VB广泛应用于电源管理、DC-DC转换器和电动机驱动等多个领域。在消费电子设备（如手机和笔记本电脑）、汽车电子系统以及工业自动化设备中，凭借其卓越的导电性和稳定性，有效提升了整体能效和性能，满足了严苛的应用需求。
