### 产品简介
NTD40N03RT4G-VB是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO252封装，专为低导通电阻和高电流应用设计。其卓越的开关性能和高效能使其成为电源管理和转换应用的理想选择，能够在较低的电压条件下实现高效能。
### 详细参数说明
- **封装**: TO252
- **配置**: 单一N通道
- **VDS（漏极-源极电压）**: 30V
- **VGS（栅极-源极电压）**: ±20V
- **Vth（阈值电压）**: 1.7V
- **RDS(ON)**: 9mΩ（@VGS=4.5V），7mΩ（@VGS=10V）
- **ID（最大连续漏电流）**: 70A
- **技术**: Trench技术
### 应用领域和模块
NTD40N03RT4G-VB广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、LED驱动和电机控制等领域。在电源管理模块中，该MOSFET可以实现高效的电源转换；在DC-DC转换器中，它提供稳定的输出电流；在LED驱动应用中，能够确保一致的光输出；而在电机控制系统中，确保高效的驱动能力以满足各种负载需求。
