--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
- ID 70A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### NTD3817NT4G-VB 产品简介
NTD3817NT4G-VB是一款高效N沟道MOSFET,采用TO252封装,专为低电压高电流应用设计。其超低导通电阻和出色的电流承载能力使其成为电源管理、电机控制等高功率应用的理想选择,能够有效降低能耗并提升系统效率。
### 详细参数说明
- **型号**: NTD3817NT4G-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单N沟道
- **VDS (漏源电压)**: 30V
- **VGS (栅源电压)**: ±20V
- **Vth (阈值电压)**: 1.7V
- **RDS(ON)**:
- 9mΩ @ VGS=4.5V
- 7mΩ @ VGS=10V
- **ID (漏电流)**: 70A
- **技术**: Trench技术
### 应用领域和模块示例
1. **电源管理**: NTD3817NT4G-VB适用于DC-DC转换器和电源开关,因其低导通电阻和高电流能力,能有效提升系统的整体效率,降低能耗。
2. **电机控制**: 在电机驱动应用中,该MOSFET可作为H桥电路的核心开关,能够处理高电流,确保电机的快速响应和高效运行。
3. **LED驱动**: 该器件广泛应用于LED照明模块,提供稳定的开关控制,尤其适合高亮度照明系统,保证长时间可靠运行。
4. **消费电子**: NTD3817NT4G-VB被广泛应用于音响、电视等消费电子产品中,作为电源开关和信号放大元件,优化整体性能。
5. **汽车电子**: 由于其高效能和可靠性,适合用于汽车电源管理系统,确保在复杂和恶劣环境下的稳定工作。
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