--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
- ID 70A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**NTD3813NT4G-VB**是一款高效能的单N通道MOSFET,采用TO252封装,专为低电压和高电流应用设计。其额定漏源电压为30V,具备极低的导通电阻,能够在多个电源管理和开关电路中提供优异的性能。该器件采用Trench技术,确保高开关速度和低功耗,满足现代电子设备对效率和可靠性的需求。
### 详细参数说明
- **型号**: NTD3813NT4G-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单N通道
- **漏源电压(VDS)**: 30V
- **栅源电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS = 4.5V
- 7mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流(ID)**: 70A
- **技术**: Trench技术
### 应用领域和模块示例
1. **电源管理**:
- NTD3813NT4G-VB广泛应用于开关电源和高效电源转换器,其低导通电阻有助于提高系统效率,降低能耗,适合高负载条件。
2. **电动工具**:
- 在电动工具中,该MOSFET可作为电机控制的开关元件,实现快速启停和高效能控制,提升工具的性能。
3. **LED驱动**:
- 该器件适用于LED照明电路,能够稳定调节LED电流,确保亮度一致性,适合各类照明应用。
4. **DC-DC转换器**:
- NTD3813NT4G-VB可以作为DC-DC转换器中的开关元件,提高转换效率,适用于便携式设备和电池供电系统。
5. **消费电子产品**:
- 在智能家居和其他消费电子设备中,该MOSFET能优化电源管理,提升设备的整体能效和续航能力。
凭借其卓越的性能和可靠性,NTD3813NT4G-VB成为现代电子设计中不可或缺的组件。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12