--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
- ID 18A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
NTD3055L170G-VB是一款高性能的单N通道MOSFET,采用TO252封装,专为高压开关和电源管理应用设计。凭借其优秀的导通特性和相对较低的导通电阻,该MOSFET非常适合用于高效能的电源转换和负载驱动场合。
### 详细参数说明
- **封装**: TO252
- **配置**: 单N通道
- **VDS**: 60V
- **VGS**: ±20V
- **Vth**: 1.7V
- **RDS(ON)**:
- 85mΩ(在VGS=4.5V时)
- 73mΩ(在VGS=10V时)
- **ID**: 18A
- **技术**: Trench技术
### 应用领域和模块
NTD3055L170G-VB广泛应用于电源管理和电动机驱动等领域。在DC-DC变换器中,它能够提供高效的开关性能,降低能量损耗,从而提高整体系统的效率。在电动工具和家电产品中,该MOSFET作为驱动元件,确保稳定的电流输出,提升设备的可靠性。此外,由于其较高的耐压能力,NTD3055L170G-VB也适用于工业自动化和电力控制系统,满足复杂应用对高性能和高效率的需求。
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