--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-P-Channel
- VDS -60V
- VGS 20(±V)
- Vth -1.7V
- RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
- ID -30A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### NTD2955VT4G-VB 产品简介
NTD2955VT4G-VB 是一款高效能的 P-Channel MOSFET,采用 TO252 封装,专为高压负载设计。凭借其 Trench 技术,该器件具有低导通电阻和快速开关特性,适合多种电源管理应用。
### 详细参数说明
- **封装**: TO252
- **配置**: Single-P-Channel
- **VDS**: -60V
- **VGS**: ±20V
- **Vth**: -1.7V
- **RDS(ON)**: 72mΩ (VGS=4.5V) / 61mΩ (VGS=10V)
- **ID**: -30A
- **技术**: Trench
### 适用领域和模块
NTD2955VT4G-VB 广泛应用于电源管理模块,例如开关电源和 DC-DC 转换器,尤其适用于需要负压开关的场合。此外,它适合汽车电子领域的电池管理系统和电机驱动,常见于消费电子产品中的功率放大器。凭借其优异的性能,这款 MOSFET 能够满足高效能和可靠性的需求。
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