### 产品简介
NTD2955PT4G-VB是一款高效的P沟道MOSFET，采用TO252封装，专为高电压应用设计。该产品以其优异的导通性能和低导通电阻，适合在多种电源管理和开关应用中使用，其Trench技术确保了可靠的性能和热管理。
### 详细参数说明
- **配置**: 单个P沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: -60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 72mΩ（VGS=4.5V），61mΩ（VGS=10V）
- **最大漏电流 (ID)**: -30A
- **技术**: Trench技术
### 应用领域
NTD2955PT4G-VB广泛应用于电源开关、负载驱动和电动机控制等领域。它在消费电子产品（如电视和音响设备）、电动汽车及其充电系统，以及工业设备中，凭借其高效率和可靠性，有效提升系统的整体性能和能效。
