### 产品简介
NTD2955D-VB是一款高性能P沟道MOSFET，采用TO252封装，专为高效率和低导通电阻设计，适用于各种功率管理和控制应用。它能够在负电压条件下可靠工作，广泛应用于反向保护和电源开关等场合。
### 详细参数说明
- **封装**: TO252
- **配置**: 单一P通道
- **VDS（漏极-源极电压）**: -60V
- **VGS（栅极-源极电压）**: ±20V
- **Vth（阈值电压）**: -1.7V
- **RDS(ON)**: 72mΩ（@VGS=4.5V），61mΩ（@VGS=10V）
- **ID（最大连续漏电流）**: -30A
- **技术**: Trench技术
### 应用领域和模块
NTD2955D-VB广泛应用于电源管理、开关电源、逆变器以及马达控制等领域。在电源模块中，它可以用于高效的电源开关，降低功率损耗；在开关电源中，提供可靠的反向保护，提升系统稳定性；而在马达控制系统中，则能高效驱动电机负载，确保运行的高效性和稳定性。
