--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-P-Channel
- VDS -30V
- VGS 20(±V)
- Vth -1.7V
- RDS(ON) 33mΩ@VGS=10V
- ID -38A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
NTD25P03-VB是一款高效能的P-Channel MOSFET,采用TO252封装,专为高压应用设计。凭借其低导通电阻和卓越的开关性能,该器件适合用于需要高效率和高电流处理的场合。
### 详细参数说明
- **配置**:单P通道
- **封装**:TO252
- **VDS**:-30V
- **VGS**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:-1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 46mΩ @ VGS=4.5V
- 33mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**:-38A
- **技术**:Trench技术
### 应用领域和模块
NTD25P03-VB广泛应用于电源管理、电机控制和LED驱动等领域。在便携式设备和家用电器中,该MOSFET能够有效降低功耗和发热,提升整体能效。此外,在工业自动化和电动交通工具中,其出色的电流承载能力确保了系统的可靠性与稳定性,适应各种苛刻的应用环境。
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