--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-P-Channel
- VDS -30V
- VGS 20(±V)
- Vth -1.7V
- RDS(ON) 33mΩ@VGS=10V
- ID -38A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### NTD25P03LT-VB 产品简介
NTD25P03LT-VB 是一款高性能 P-Channel MOSFET,采用 TO252 封装,专为负压应用设计。其基于 Trench 技术,提供低导通电阻和优异的开关性能,适合用于各种电源管理和控制应用。
### 详细参数说明
- **封装**: TO252
- **配置**: Single-P-Channel
- **VDS**: -30V
- **VGS**: ±20V
- **Vth**: -1.7V
- **RDS(ON)**: 46mΩ (VGS=4.5V) / 33mΩ (VGS=10V)
- **ID**: -38A
- **技术**: Trench
### 适用领域和模块
NTD25P03LT-VB 在电源管理模块中有广泛应用,如 DC-DC 转换器和开关电源,特别适用于负压开关场合。此外,它适合用于汽车电子中的电池管理系统和逆变器控制,也常见于消费电子产品中的电机驱动和功率放大器。凭借其低导通电阻和高电流承载能力,确保系统的高效能和可靠性。
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