--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
- ID 70A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### NTD23N03RG-VB 产品简介
NTD23N03RG-VB是一款高性能N沟道MOSFET,采用TO252封装,专为低电压高电流应用设计。其卓越的导通性能和低导通电阻使其成为电源管理、电机控制和其他高功率应用的理想选择。该器件能够有效降低能耗,并在高负载条件下保持稳定性。
### 详细参数说明
- **型号**: NTD23N03RG-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单N沟道
- **VDS (漏源电压)**: 30V
- **VGS (栅源电压)**: ±20V
- **Vth (阈值电压)**: 1.7V
- **RDS(ON)**:
- 9mΩ @ VGS=4.5V
- 7mΩ @ VGS=10V
- **ID (漏电流)**: 70A
- **技术**: Trench技术
### 应用领域和模块示例
1. **电源管理**: NTD23N03RG-VB非常适合用作DC-DC转换器中的开关元件,因其低导通电阻和高电流能力可显著提高系统效率。
2. **电机控制**: 在电机驱动应用中,作为H桥电路的开关,NTD23N03RG-VB能够处理较高电流,确保电机的快速和精确控制。
3. **LED照明**: 在LED驱动模块中,该MOSFET提供稳定的开关性能,适合高效照明应用,尤其是在要求低功耗和高亮度的环境中。
4. **消费电子**: 该器件广泛应用于各种消费电子产品,如音响和电视,作为电源开关和信号放大元件,提升系统性能。
5. **汽车电子**: NTD23N03RG-VB因其高电流承载能力和可靠性,适合用于汽车电源管理系统,确保在严苛环境下的稳定运行。
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