### 产品简介
NTD20N03L27T4G-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，采用TO252封装，设计用于高效电源转换和开关应用。该MOSFET以其低导通电阻和高电流承载能力，能够在高频和高功率条件下保持良好的性能，适合各种工业和消费类电子设备。
### 详细参数说明
- **配置**: 单个N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 9mΩ（VGS=4.5V），7mΩ（VGS=10V）
- **最大漏电流 (ID)**: 70A
- **技术**: Trench技术
### 应用领域
NTD20N03L27T4G-VB广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器和电动机驱动等多种场景。在消费电子产品（如笔记本电脑和移动设备）、电动汽车的动力系统，以及工业自动化设备中，凭借其高效能和可靠性，能够有效提高能效和整体系统性能。
