### 产品简介
NTD15N07-VB是一款高效能N沟道MOSFET，采用TO252封装，具备卓越的开关性能和低导通电阻，特别适合用于各类功率转换和控制应用。
### 详细参数说明
- **封装**: TO252
- **配置**: 单一N通道
- **VDS（漏极-源极电压）**: 60V
- **VGS（栅极-源极电压）**: ±20V
- **Vth（阈值电压）**: 1.7V
- **RDS(ON)**: 85mΩ（@VGS=4.5V），73mΩ（@VGS=10V）
- **ID（最大连续漏电流）**: 18A
- **技术**: Trench技术
### 应用领域和模块
该MOSFET广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、马达驱动以及电池管理系统等。具体来说，在电源模块中，它能够提高转换效率；在马达控制系统中，提供稳定的驱动电流；而在电池管理中，则可确保电压的精确调节，优化能量利用。
