--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
- ID 70A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### NTD14N03RG-VB 产品简介
NTD14N03RG-VB 是一款高性能单N通道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为低电压和高电流应用设计。其最大漏源电压(VDS)为 30V,能够满足多种电源和驱动应用的需求。该器件具有优异的导通电阻(RDS(ON)),在栅源电压为 4.5V 和 10V 时分别为 9mΩ 和 7mΩ,确保在高电流下的低热损耗,最大漏电流(ID)可达 70A。
### 详细参数说明
- **型号**:NTD14N03RG-VB
- **封装**:TO252
- **配置**:单N通道
- **最大漏源电压 (VDS)**:30V
- **最大栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS=4.5V
- 7mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**:70A
- **技术**:Trench
### 应用领域和模块
1. **电源管理**:
NTD14N03RG-VB 非常适合用于 DC-DC 转换器和高效电源模块,能够在低功耗和高输出条件下运行,降低能耗并提高系统效率。
2. **电动工具**:
在电动工具的电机驱动应用中,此器件能有效控制电流,提升工具性能并延长电池使用时间,适合各种高功率设备。
3. **工业自动化**:
该 MOSFET 适用于工业设备中的伺服电机和驱动系统,凭借其高电流承载能力和低导通电阻,能够满足复杂控制系统的要求。
4. **消费电子**:
在消费电子产品,如智能手机和笔记本电脑的电源管理中,NTD14N03RG-VB 可以实现高效充电和电源转换,满足快速充电和节能需求。
这些应用示例展示了 NTD14N03RG-VB 在现代电源管理和驱动技术中的重要角色。
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