--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=10V
- ID 97A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### NP90N055VUG-VB 产品简介
NP90N055VUG-VB 是一款高效能的单极 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为高电压和高电流应用设计。其卓越的电气特性、低导通电阻和优良的热管理能力,使其成为各种电源管理和控制系统的理想选择,能够满足多样化的工业和消费电子需求。
### 详细参数说明
- **封装**: TO252
- **配置**: 单极 N 通道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 60V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 12mΩ @ VGS=4.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 4.5mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**: 97A
- **技术**: Trench
### 应用领域与模块示例
NP90N055VUG-VB 广泛应用于电源转换器、电机驱动和高功率电源管理系统。由于其高电流承载能力,它非常适合用于电动车辆的驱动控制系统,提供高效的能量转换和响应。此外,该 MOSFET 也适合于直流-直流转换器和高频开关电源,以实现优化的能量管理和热控制。其优异的导电性能确保在各种高功率应用中表现突出,是工程师们的理想选择。
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