--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=10V
- ID 97A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介:NP90N055VDG-E1-AY-VB
NP90N055VDG-E1-AY-VB是一款高效能的N沟道MOSFET,采用TO252封装,专为中高电压和大电流应用设计。凭借其低导通电阻和适中的阈值电压,这款MOSFET在电源管理和功率转换领域展现出色性能。通过Trench技术的应用,NP90N055VDG-E1-AY-VB能够显著降低开关损耗,适合高频操作,确保高能效和可靠性。
### 详细参数说明:
- **型号**:NP90N055VDG-E1-AY-VB
- **封装**:TO252
- **配置**:单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**:60V
- **栅极-源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 12mΩ @ VGS = 4.5V
- 4.5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**:97A
- **技术**:Trench
### 应用领域和模块示例:
1. **电源转换器**:
NP90N055VDG-E1-AY-VB适用于开关电源和直流-直流转换器,能够有效管理电流和电压,降低能量损耗,从而提高整体系统的效率和稳定性。
2. **电动机驱动**:
在电动机控制应用中,该MOSFET能够高效控制电动机的启停及调速,特别适合高功率电动工具和工业自动化设备,确保可靠的性能和快速响应。
3. **电池管理系统**:
NP90N055VDG-E1-AY-VB在电池管理系统(BMS)中能够优化电池的充放电过程,增强电池的安全性和性能,保障系统的稳定运行。
4. **汽车电子**:
此款MOSFET广泛应用于汽车电子领域,支持电源分配和电动机控制,提升汽车电气系统的能效和可靠性。
5. **LED驱动电路**:
NP90N055VDG-E1-AY-VB在LED驱动应用中表现出色,能够实现对LED的高效调光,满足多种照明需求,提升系统的整体性能。
凭借其卓越的设计和性能,NP90N055VDG-E1-AY-VB成为多个高效能应用的理想选择。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12