--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 40V
- VGS 20(±V)
- Vth 2.5V
- RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
- ID 85A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
NP90N04VLG-E1-AY-VB是一款高效能单N通道MOSFET,采用TO252封装,设计用于中等电压和高电流应用。该器件具有40V的漏源电压(VDS),结合超低导通电阻,适合在要求高效率和低功耗的电路中使用,特别是在高负载和高频环境中表现优异。
### 详细参数说明
- **封装类型**:TO252
- **配置**:单N通道
- **漏源电压(VDS)**:40V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:2.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS = 4.5V
- 5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流(ID)**:85A
- **技术**:Trench
### 适用领域和模块
NP90N04VLG-E1-AY-VB广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电动机驱动以及逆变器等领域。其低导通电阻特性使其在高频开关电源中表现出色,能够显著提高系统的能效并减少热量产生。此外,该MOSFET也适用于消费电子、汽车电子及工业控制模块,确保在高负载条件下的稳定性和可靠性。
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