--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 40V
- VGS 20(±V)
- Vth 2.5V
- RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
- ID 85A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### NP90N04VDG-VB 产品简介
NP90N04VDG-VB 是一款高效能 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为高电流和高效率应用设计。凭借其低导通电阻和良好的热性能,该器件适用于各种电源管理和电机驱动应用,能够在严格的工作环境中保持稳定的性能。
### 详细参数说明
- **封装**: TO252
- **配置**: 单 N 通道
- **最大漏极-源电压 (VDS)**: 40V
- **栅极-源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS = 4.5V
- 5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 85A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块示例
NP90N04VDG-VB MOSFET 广泛应用于以下领域和模块:
1. **电源管理**: 在开关电源和 DC-DC 转换器中,该器件作为高效的功率开关,能够显著提高能量转换效率,降低能量损耗,确保稳定的电力输出。
2. **电动汽车**: NP90N04VDG-VB 是电动汽车动力系统中的重要组件,支持高电流输出,确保在不同驾驶条件下的高效和可靠性。
3. **电机控制**: 在工业自动化和电动工具中,该 MOSFET 可用于电机驱动电路,提供快速响应和高效电力支持,以满足高性能需求。
4. **消费电子**: NP90N04VDG-VB 被广泛应用于智能家电和移动设备中,提供高效的电源管理解决方案,提升产品能效和使用寿命。
5. **可再生能源系统**: 该器件适合在太阳能逆变器及其他可再生能源设备中使用,确保高效的能量管理和转换,提升整体系统性能。
NP90N04VDG-VB MOSFET
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