--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 40V
- VGS 20(±V)
- Vth 2.5V
- RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
- ID 85A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### NP55N04SUG-E1-AY-VB 产品简介
NP55N04SUG-E1-AY-VB 是一款高性能单极 N 型 MOSFET,封装采用 TO252,旨在满足高电流和低电压的应用需求。其极低的导通电阻和优越的电流承载能力,使其非常适合各种高效电源管理解决方案。
### 详细参数说明
- **封装**:TO252
- **配置**:单 N 型通道
- **最大漏源电压 (VDS)**:40V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ (VGS=4.5V)
- 5mΩ (VGS=10V)
- **最大漏电流 (ID)**:85A
- **技术**:Trench
### 适用领域和模块示例
NP55N04SUG-E1-AY-VB 适用于电源管理、DC-DC 转换器以及电动机驱动等多个领域。它在开关电源(SMPS)、高效电源适配器和电池管理系统中广泛应用,能够有效提升能量转换效率。凭借其低导通电阻,该 MOSFET 可以显著减少能量损耗,适应现代电子设备对高性能和高效率的需求。
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