--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
- ID 100A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
NP55N03SUG-VB是一款高效的单极N沟道MOSFET,采用TO252封装,专为低电压和大电流应用而设计。其极低的导通电阻和高开关性能使其成为各种电源管理和驱动电路的理想选择,能够显著提升能效和系统性能。
### 详细参数说明
- **型号**: NP55N03SUG-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单极N通道
- **VDS**: 30V
- **VGS**: ±20V
- **Vth**: 1.7V
- **RDS(ON)**: 3mΩ(VGS=4.5V);2mΩ(VGS=10V)
- **ID**: 100A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
NP55N03SUG-VB广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器及高功率电机驱动器。其低导通电阻使其在开关电源和电池管理系统中实现更高的能效,非常适合用于电动工具和消费电子产品。此外,在服务器和网络设备中,该MOSFET能够有效提升功率密度和散热效率,满足高性能应用的需求。
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