--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 2.5V
- RDS(ON) 10mΩ@VGS=10V
- ID 58A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
NP52N06SLG-VB 是一款采用 TO252 封装的单N通道 MOSFET,专为高效能应用而设计。该器件具有 60V 的漏极-源极电压(VDS)和 58A 的连续电流(ID),结合先进的 Trench 技术,使其在低驱动电压下能够实现极低的导通阻抗。这使得 NP52N06SLG-VB 特别适合于高频率和高效率的电源管理及开关应用。
### 详细参数说明
- **封装**:TO252
- **配置**:单N通道
- **VDS**:60V
- **VGS**:±20V
- **Vth**:2.5V
- **RDS(ON)**:13mΩ@VGS=4.5V;10mΩ@VGS=10V
- **ID**:58A
- **技术**:Trench
### 应用领域和模块
NP52N06SLG-VB 可广泛应用于多个领域,包括:
1. **开关电源**:在各种开关电源设计中,该 MOSFET 的低导通阻抗能够提高系统效率,降低热量产生。
2. **电动机驱动**:用于电动机控制器,可以高效地切换高电流负载,确保电动机的快速响应和稳定性。
3. **电池管理系统**:在电池充放电控制中,提供高效的开关功能,延长电池的使用寿命和提升安全性。
4. **消费电子**:适合于高功率的消费电子产品,如电源适配器和音响设备,提供稳定、可靠的电源输出。
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