### 产品简介
NP52N06SLG-E1-AY-VB是一款高效的单N通道MOSFET，采用TO252封装，专为高电压和高电流应用设计。该器件具有60V的漏源电压（VDS）和出色的导通电阻，适合在要求高效率与低功耗的电路中使用，尤其在空间受限的应用中表现优异。
### 详细参数说明
- **封装类型**：TO252
- **配置**：单N通道
- **漏源电压（VDS）**：60V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：2.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
- 13mΩ @ VGS = 4.5V
- 10mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流（ID）**：58A
- **技术**：Trench
### 适用领域和模块
NP52N06SLG-E1-AY-VB适用于电源管理、DC-DC转换器、逆变器及电动机驱动等领域。由于其低导通电阻，能够在高频开关电源中提升效率并减少热损耗。此外，该MOSFET也广泛应用于消费电子、汽车电子和工业自动化模块，确保在高负载条件下的稳定性和可靠性。
