--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 2.5V
- RDS(ON) 10mΩ@VGS=10V
- ID 58A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### NP52N055SUG-VB 产品简介
NP52N055SUG-VB 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为高电压和高电流应用设计。该器件具有优异的导通性能,能够在低电压条件下提供可靠的电流控制,广泛应用于各类电子设备中,满足严苛的工作环境需求。
### 详细参数说明
- **封装**: TO252
- **配置**: 单 N 通道
- **最大漏极-源电压 (VDS)**: 60V
- **栅极-源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 13mΩ @ VGS = 4.5V
- 10mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 58A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块示例
NP52N055SUG-VB MOSFET 适用于多个领域和模块,具体包括:
1. **电源管理**: 在开关电源和 DC-DC 转换器中,提供高效的电流控制,确保电源系统的稳定性和高效能。
2. **电动车辆**: 在电动汽车驱动系统中,作为功率开关,能够处理大电流负载,提高整车的动力性能。
3. **电机控制**: 适用于工业自动化和机器人技术,作为电机驱动的关键组件,保证高效、稳定的电力供应。
4. **家用电器**: 在智能家电中广泛应用,支持高效的电源开关功能,提升产品的能效和使用寿命。
5. **可再生能源系统**: 用于太阳能逆变器和风能发电系统,确保高效的能量转换和电流控制。
NP52N055SUG-VB MOSFET
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