--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 2.5V
- RDS(ON) 10mΩ@VGS=10V
- ID 58A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### NP52N055SUG-E1-AY-VB 产品简介
NP52N055SUG-E1-AY-VB是一款高性能单N通道MOSFET,采用TO252封装,专为高压和高电流应用而设计。该器件具备60V的最大漏源电压,适合在各种严苛的电源管理和开关电路中使用。其导通电阻(RDS(ON))在不同栅极电压下表现优异,确保在高负载下的高效能运作和热管理。
### 详细参数说明
- **型号**: NP52N055SUG-E1-AY-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单N通道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 13mΩ @ VGS=4.5V
- 10mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**: 58A
- **技术**: Trench
### 适用领域和模块示例
1. **开关电源(SMPS)**: NP52N055SUG-E1-AY-VB广泛应用于开关电源设计中,其低导通电阻和高电流承载能力能够有效降低能量损耗,提升整体系统效率。
2. **电动汽车**: 该MOSFET适合在电动汽车的电机控制和电池管理系统中使用,能够应对高功率转换需求,提高能源利用效率,延长电池寿命。
3. **消费电子**: 在智能手机、平板电脑及其他便携设备中,NP52N055SUG-E1-AY-VB可用于电源管理模块,帮助优化电池使用和提高设备性能。
4. **工业自动化**: 该器件在工业控制系统中也有广泛应用,如马达控制和负载驱动,提供可靠的开关性能和高效能,满足工业环境下的要求。
通过这些领域的应用示例,可以看出NP52N055SUG-E1-AY-VB在现代电子设计中的重要性和广泛性,是开发高效电源管理方案的理想选择。
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