--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 100V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.8V
- RDS(ON) 30mΩ@VGS=10V
- ID 40A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### NP40N10VDF-VB 产品简介
NP40N10VDF-VB 是一款高性能的单极 N 型 MOSFET,采用 TO252 封装,设计用于高压和高电流应用。凭借其低导通电阻和高漏源电压能力,NP40N10VDF-VB 特别适合于电源管理和驱动电路。
### 详细参数说明
- **封装**:TO252
- **配置**:单 N 型通道
- **最大漏源电压 (VDS)**:100V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 35mΩ (VGS=4.5V)
- 30mΩ (VGS=10V)
- **最大漏电流 (ID)**:40A
- **技术**:Trench
### 适用领域和模块示例
NP40N10VDF-VB 适用于电源管理、DC-DC 转换器和电动机控制等多个领域。它广泛应用于开关电源(SMPS)、电池管理系统和高效电动机驱动模块中,提供高效能的电流开关解决方案。同时,由于其低导通电阻,可以显著降低能量损耗,提升系统效率,满足现代电子设备对高性能的需求。
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