企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 77 粉丝

NP36N055SLE-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: NP36N055SLE-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 10mΩ@VGS=10V
  • ID 58A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、NP36N055SLE-VB 产品简介

NP36N055SLE-VB 是一款高性能 **单N沟道MOSFET**,采用 **TO252** 封装,专为高电压和大电流应用设计。其具有 **60V** 的漏源电压(V\(_{DS}\))和 ±20V 的栅源电压(V\(_{GS}\)),能够在多种环境下稳定工作。其 **阈值电压(V\(_{th}\))为2.5V**,展现出优异的控制特性。该型号的导通电阻在 **V\(_{GS}\)=4.5V 时为 13mΩ**,在 **V\(_{GS}\)=10V 时为 10mΩ**,确保了高效的电流传导能力。最大漏极电流可达到 **58A**,其使用的 **Trench技术** 可显著降低导通损耗,提升电源管理效率,适用于各种电源转换和驱动系统。

---

### 二、NP36N055SLE-VB 详细参数说明

| **参数**                 | **值**                         | **说明**                          |
|--------------------------|-------------------------------|-----------------------------------|
| **封装类型**             | TO252                         | 紧凑设计,适合多种应用场景      |
| **配置**                 | 单N沟道                       | 支持单一通道控制                 |
| **V\(_{DS}\)**           | 60V                           | 漏源之间的最大电压               |
| **V\(_{GS}\)**           | ±20V                          | 栅源之间的最大电压               |
| **V\(_{th}\)**           | 2.5V                          | 开启所需的阈值电压               |
| **R\(_{DS(on)}\)**       | 13mΩ @ V\(_{GS}\)=4.5V       | 在开启状态下的导通电阻            |
| **R\(_{DS(on)}\)**       | 10mΩ @ V\(_{GS}\)=10V        | 在开启状态下的导通电阻            |
| **I\(_{D}\)**            | 58A                           | 最大连续漏极电流                 |
| **技术**                 | Trench                        | 提供低导通电阻和高效能            |
| **工作温度范围**         | -55°C ~ 150°C                | 支持恶劣环境中的稳定运行         |

---

### 三、应用领域及模块示例

1. **电源转换与管理系统**  
  NP36N055SLE-VB 适用于高效的DC-DC转换器和电源模块,尤其是在电流密集型应用中。其低导通电阻(10mΩ)能够降低能量损耗,从而提升电源系统的整体效率。

2. **电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)**  
  在电动车辆的驱动系统和电池管理中,该MOSFET能够处理高达58A的电流,确保电池的快速充放电,并提供高效的功率转换。它在电动汽车的动力控制和能量管理系统中发挥着重要作用。

3. **电机驱动与控制模块**  
  该器件适用于直流电机和无刷电机的驱动控制,尤其是在工业自动化和机器人技术中。NP36N055SLE-VB 的高电流承载能力和快速开关特性使其成为电机驱动系统的理想选择。

4. **消费电子与智能设备**  
  在智能家居和消费电子产品中,该MOSFET可用于电源适配器和LED驱动器,支持高效能和小型化设计。其稳定性和高电流处理能力确保了设备的安全和高效运行。

5. **可再生能源系统**  
  NP36N055SLE-VB 可用于太阳能逆变器和风力发电系统中,促进能量的高效转换与管理。在这些应用中,其耐高温和高电压特性使其在各种环境下可靠运行。

---

NP36N055SLE-VB 是一款高效能的单N沟道MOSFET,凭借其低导通电阻和优良的电流处理能力,广泛应用于电源管理和高电流应用。其在工业和消费电子领域的出色表现,使其成为现代电力系统中不可或缺的重要元件。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    112浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    100浏览量