### 一、NP36N055SHE-E1-AY-VB 产品简介
NP36N055SHE-E1-AY-VB 是一款 **单 N 通道 MOSFET**，采用 **TO-252 封装**，专为高电流和高效能应用设计。其 **漏源电压 (VDS)** 可达 **60V**，支持 ±20V 的栅源电压 (VGS)，并具有较低的开启电压 (Vth) 为 **2.5V**。在 **VGS = 10V** 时，其导通电阻 (RDS(ON)) 低至 **10mΩ**，提供了极佳的导电性能。NP36N055SHE-E1-AY-VB 的 **最大漏极电流 (ID)** 可达 **58A**，使其在各种应用中表现出色，特别是在电源管理和电动设备中。该 MOSFET 使用 **Trench 技术**，优化了开关速度和热管理，为电子设计师提供了理想的解决方案。
---
### 二、NP36N055SHE-E1-AY-VB 详细参数说明
| **参数** | **描述** | **值** |
|-------------------------|----------------------------------------|----------------------|
| **封装** | TO-252 | 优化散热设计 |
| **配置** | 单 N 通道 MOSFET | 高效开关元件 |
| **漏源电压 (VDS)** | 最大可承受电压 | 60V |
| **栅源电压 (VGS)** | 栅极耐受电压 | ±20V |
| **开启电压 (Vth)** | 开启电压 | 2.5V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | @ VGS = 10V | 10mΩ |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | @ VGS = 4.5V | 13mΩ |
| **最大漏极电流 (ID)** | 最大连续电流 | 58A |
| **技术** | Trench 技术 | 高效低损耗设计 |
| **工作温度范围** | 工作温度 | -55°C 至 175°C |
---
### 三、应用领域与模块举例
1. **电源管理系统**
NP36N055SHE-E1-AY-VB 在 **DC-DC 转换器** 和 **电源适配器** 中的应用非常广泛。其低导通电阻和高电流处理能力使其成为高效电源转换的重要组成部分，能够有效降低能量损耗，提高整体效率。
2. **电动汽车**
在 **电动汽车 (EV)** 中，该 MOSFET 可用于电池管理系统和电机控制器。其高电流承载能力确保能够处理快速变化的负载要求，从而提高车辆的加速性能和续航里程。
3. **工业自动化设备**
NP36N055SHE-E1-AY-VB 可用于 **电动驱动和控制系统**，如电机驱动和伺服控制器。其快速开关能力和高负载能力使其适合在精密工业应用中实现高效和稳定的性能。
4. **消费电子产品**
该 MOSFET 也被广泛应用于 **便携式设备** 和 **智能手机充电器** 中，能够有效管理电源并提供稳定的充电效率，提升用户体验。
5. **不间断电源 (UPS)**
在 **UPS 系统** 中，NP36N055SHE-E1-AY-VB 可用于作为开关元件，以支持在市电中断时的瞬时切换，保证系统的稳定供电。
---
NP36N055SHE-E1-AY-VB 以其高效能、低损耗的特点，在电源管理、汽车、工业及消费电子等领域均表现出色，是电子工程师在高电流应用中非常理想的选择。
