--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-P-Channel
- VDS -60V
- VGS 20(±V)
- Vth -1.7V
- RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
- ID -30A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### NP15P06SLG-E1-AY-VB 产品简介
NP15P06SLG-E1-AY-VB 是一款高性能的单管 P 型 MOSFET,采用 TO252 封装,专为低电压、高效率应用而设计。该 MOSFET 具有较低的 RDS(ON) 值,使其在高负载条件下能有效降低导通损耗,适用于开关电源、DC-DC 转换器和电机控制等应用场景。其工作电压范围为 -60V,支持最大 30A 的漏极电流,适合各类负载驱动。
### 详细参数说明
- **型号**:NP15P06SLG-E1-AY-VB
- **封装类型**:TO252
- **配置**:单 P 通道
- **VDS(漏极到源极电压)**:-60V
- **VGS(栅极到源极电压)**:±20V
- **Vth(阈值电压)**:-1.7V
- **RDS(ON)(导通电阻)**:
- 72 mΩ @ VGS = 4.5V
- 61 mΩ @ VGS = 10V
- **ID(漏极电流)**:-30A
- **技术**:Trench 技术
### 应用领域和模块
NP15P06SLG-E1-AY-VB MOSFET 适用于多个领域和模块,包括:
1. **开关电源**:在开关电源设计中,该 MOSFET 的低导通电阻特性能够有效降低能量损耗,从而提高整体能效。
2. **DC-DC 转换器**:在 DC-DC 转换器中,用于电源管理和电压调节,能够确保高效转换和稳定输出。
3. **电机控制**:该器件可以用于电机驱动电路中,尤其是在电动工具、家用电器和电动汽车中,其高电流承载能力使得其能够满足电机启动和运行的需求。
4. **LED 驱动**:在 LED 照明和背光模块中,用于驱动大电流的 LED,确保高效、稳定的光输出。
5. **电池管理系统**:适用于电池充放电管理,通过高效开关控制,提升系统整体性能和安全性。
通过这些应用示例,NP15P06SLG-E1-AY-VB 能够在现代电子设备中发挥关键作用,尤其是在需要高效电源管理的场合。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12