--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 700mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### NDD60N745U1T4G-VB 产品简介
NDD60N745U1T4G-VB 是一款采用 **TO252 封装**的高压 N 通道 MOSFET,适用于需要高效率、高可靠性的应用。该器件具备 **650V 的漏源电压 (VDS)**,能够处理大电压环境中的电力转换和开关任务。此外,其 **栅源电压 (VGS)** 范围为 ±30V,支持灵活的驱动设计。NDD60N745U1T4G-VB 使用 **Super-Junction (SJ) Multi-EPI 技术**,有效降低导通损耗,提升转换效率。在 10V 栅源电压下,该器件的 **RDS(ON)** 为 700mΩ,能够支持 **7A 的最大电流**。这款 MOSFET 特别适用于工业设备、电源模块和高压控制系统等领域。
---
### 详细参数说明
- **产品型号**: NDD60N745U1T4G-VB
- **封装类型**: TO252
- **配置**: Single-N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**: 650V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 700mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 7A
- **技术**: Super-Junction (SJ) Multi-EPI
---
### 应用领域和模块示例
1. **工业电源模块**
- NDD60N745U1T4G-VB 非常适用于 **工业级电源模块**,如 AC-DC 转换器和 DC-DC 转换器。其高压耐受能力和较低的 RDS(ON) 确保在高电压下实现高效的能量转换,提升系统整体可靠性。
2. **电动汽车充电桩**
- 由于其 650V 的高耐压能力,该 MOSFET 在 **电动汽车 (EV) 充电桩**中能用于高压直流控制部分和电力转换电路,确保稳定运行并降低损耗。
3. **开关电源 (SMPS)**
- 这款 MOSFET 适合用于 **开关模式电源 (SMPS)**,如服务器电源、家用电器和照明电源,能够提供高效的电源开关解决方案,提升系统的能源效率。
4. **光伏逆变器**
- 在 **光伏逆变器**中,NDD60N745U1T4G-VB 可以有效控制直流电压与交流电之间的转换,为太阳能系统提供稳定的功率转换和输出。
5. **工业电机控制系统**
- 在工业自动化中,该 MOSFET 可用于 **电机驱动和控制系统**,尤其适用于需要高电压、高电流切换的场景,如机器人控制和电梯系统。
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综上所述,NDD60N745U1T4G-VB 凭借其 **高压处理能力、SJ Multi-EPI 技术**的支持,以及 **高效的开关性能**,广泛适用于 **工业设备、电源转换、汽车充电、光伏系统和电机控制**等领域。其高性能和可靠性使其成为各类高压应用中的理想选择。
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