--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 800V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2600mΩ@VGS=10V
- ID 2A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、NDD03N80ZT4G-VB 产品简介
NDD03N80ZT4G-VB 是一款高电压单N沟道MOSFET,采用TO252封装,专为高压应用而设计。其漏源极电压(VDS)高达800V,使其能够处理高电压环境,同时支持栅极驱动电压(VGS)±30V。阈值电压(Vth)为3.5V,在10V的栅极驱动下,其导通电阻(RDS(ON))为2600mΩ,这使得在负载条件下的功耗相对较高,但在高电压应用中,仍可提供稳定的性能。NDD03N80ZT4G-VB 的最大漏极电流(ID)为2A,适合在高压和中小电流应用场合使用,广泛应用于电源管理和工业控制等领域。
---
### 二、NDD03N80ZT4G-VB 详细参数说明
| **参数** | **值** | **说明** |
|-------------------------|----------------------------------|--------------------------------------------|
| **封装类型** | TO252 | 提供适当的散热性能,适合高电压应用。 |
| **配置** | 单N沟道 | 适用于开关和放大应用,具有多种功能。 |
| **漏源极电压 (VDS)** | 800V | 能够承受高电压,适合多种高电压应用。 |
| **栅极驱动电压 (VGS)** | ±30V | 允许在较大的栅极电压范围内工作。 |
| **阈值电压 (Vth)** | 3.5V | 提供快速的导通和关断特性。 |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 2600mΩ @ VGS=10V | 在高电压下的导通电阻较大,适合低功率应用。 |
| **最大漏极电流 (ID)** | 2A | 支持小功率负载,适合电源管理和控制电路。 |
| **技术** | SJ_Multi-EPI | 采用多晶体结构技术,提高了电流承载能力。 |
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### 三、应用领域和模块示例
1. **高压电源管理**
NDD03N80ZT4G-VB 适用于高压电源管理系统,如开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。在这些应用中,它能稳定控制输出电压和电流,确保系统的高效运行,并在高电压环境下保持可靠性。
2. **电动工具**
在电动工具中,该MOSFET 可作为电源控制开关,实现对电机的驱动控制。由于其高达800V的漏源电压,能够满足高功率电动工具的电源需求,确保高效和安全的工作。
3. **工业自动化**
NDD03N80ZT4G-VB 也适用于工业自动化设备中,作为驱动控制元件。在PLC(可编程逻辑控制器)和工业控制系统中,能够实现对各种传感器和执行器的高效控制。
4. **照明控制**
在高压照明系统中,如街道照明和工业照明,NDD03N80ZT4G-VB 可用作开关元件,控制灯具的开关与调光。这使得在高压应用中实现高效和可靠的照明解决方案成为可能。
5. **逆变器**
NDD03N80ZT4G-VB 还可用于逆变器应用,特别是在高电压的太阳能逆变器中。它能够在高电压条件下高效转换直流电源为交流电源,支持可再生能源的应用。
综上所述,NDD03N80ZT4G-VB 凭借其高电压承载能力和适中的导通电阻,成为高压电源和控制系统的理想选择,广泛应用于多个工业和商业领域。
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