--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=10V
- ID 97A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、NCE8050AK-VB 产品简介
NCE8050AK-VB 是一款高性能的单通道 N 型 MOSFET,采用 **TO-252 封装**,专为高电流和低导通电阻的应用而设计。其漏源电压 (VDS) 可达 **60V**,栅极电压 (VGS) 额定为 ±20V,确保在多种电压条件下的稳定性。NCE8050AK-VB 的导通电阻 (RDS(ON)) 在不同栅极电压下分别为 **12mΩ @ VGS = 4.5V** 和 **4.5mΩ @ VGS = 10V**,能够承受高达 **97A** 的漏极电流 (ID),非常适合高效能电源管理和负载开关应用。该 MOSFET 采用 **Trench 技术**,显著降低开关损耗,提高系统的整体效率,适合各种电力电子应用。
---
### 二、NCE8050AK-VB 参数说明
| **参数名称** | **参数值** | **说明** |
|----------------------|--------------------------|------------------------------------------|
| **封装** | TO-252 | 适合紧凑型应用,具备良好散热性能 |
| **配置** | 单 N 通道 (Single-N) | 适合用于功率开关和电源管理 |
| **漏源电压 (VDS)** | 60V | 适合中压应用 |
| **栅源电压 (VGS)** | ±20V | 提供足够的控制电压范围 |
| **开启阈值电压 (Vth)** | 3V | 当栅极电压超过该值时,MOSFET 开启 |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 12mΩ @ VGS = 4.5V | 低导通电阻有助于减少功率损耗 |
| | 4.5mΩ @ VGS = 10V | |
| **漏极电流 (ID)** | 97A | 能够处理高电流负载 |
| **技术** | Trench | 提高开关效率并减少热损耗 |
| **工作温度范围** | -55°C ~ +150°C | 在极端温度下保持稳定性能 |
---
### 三、NCE8050AK-VB 适用领域与应用模块
1. **电源管理模块**
NCE8050AK-VB 广泛应用于 **AC-DC 转换器** 和 **DC-DC 转换器**,其低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合高效能电源管理。它可以有效地降低电源转换过程中的能量损耗,提升整体系统的效率。
2. **电动汽车驱动系统**
该 MOSFET 在 **电动汽车** 的电机驱动和能量管理系统中表现优异,可以用于电动机的控制和能量回收等场景,确保高效的功率转换和控制。
3. **工业自动化**
NCE8050AK-VB 适用于 **工业控制系统**,尤其是在需要高功率开关的应用场合,如电机控制和伺服驱动等。其高电流承载能力可以满足各种工业设备的严格要求。
4. **LED 照明驱动**
此外,该 MOSFET 也适合用于 **高功率 LED 照明** 应用,通过其卓越的开关性能和低导通电阻,确保高效的灯具驱动和延长使用寿命。
---
NCE8050AK-VB 以其高电流处理能力和低导通电阻,成为电源管理、电动汽车、工业自动化及高功率照明等领域的理想选择。结合 **Trench 技术**,有效提高了系统的效率和稳定性,是现代电力电子设计中不可或缺的重要组件。
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