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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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NCE70R2K2K-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: NCE70R2K2K-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 700V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2400mΩ@VGS=10V
  • ID 2A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### **NCE70R2K2K-VB 产品简介**  
NCE70R2K2K-VB 是一款高压单 N 沟道 MOSFET,采用 **TO-252 封装**,旨在满足高电压和小功率应用的需求。其 **700V 的漏源电压 (VDS)** 和 **2A 的连续漏极电流 (ID)** 使其非常适合在电源管理、家电和其他对能效有要求的电路中使用。该器件基于 **超级结 (SJ) 多重 EPI 技术**,有效降低了导通损耗,提供可靠的性能,适合各种高压场合。

---

### **详细参数说明**  
| 参数                    | 数值                            | 说明                         |
|-----------------------|--------------------------------|----------------------------|
| **封装 (Package)**    | TO-252                         | 提供良好的散热性能,适合小功率应用 |
| **配置 (Configuration)** | 单 N 沟道 (Single-N-Channel)  | 控制简单,适合开关和电源管理应用 |
| **漏源电压 (VDS)**     | 700V                           | 支持高压应用                 |
| **栅源电压 (VGS)**     | ±30V                           | 提供较大栅极电压容限,适应多种驱动电路 |
| **开启电压 (Vth)**     | 3.5V                           | 确保可靠的开启和关断性能       |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 2400mΩ @ VGS=10V               | 较高的导通损耗,适合低功率应用 |
| **连续漏极电流 (ID)**  | 2A                             | 适用于低功率应用              |
| **技术 (Technology)**  | SJ_Multi-EPI                   | 降低导通电阻,增强性能         |

---

### **应用领域和模块示例**  

1. **电源管理**  
  NCE70R2K2K-VB 在 **开关电源 (SMPS)** 和 **小型 DC-DC 转换器** 中得到应用。其高压能力能够满足电源管理系统中的需求,确保稳定和高效的电压转换。

2. **家电控制**  
  该 MOSFET 适用于 **家用电器的电机驱动电路**,如小型风扇、泵和电动工具。尽管功率较小,但其高电压和稳定性能确保了设备的安全性和效率。

3. **LED 驱动器**  
  在 **LED 照明系统** 中,NCE70R2K2K-VB 可以用作驱动电路中的开关元件,提供可靠的电源管理,保证 LED 的稳定工作,降低整体能耗。

4. **工业控制**  
  该器件可用于 **传感器和控制电路**,在需要高压信号的场合提供支持。其高压耐受性能够满足工业自动化中的各种需求,确保系统的稳定性。

---

**总结**:NCE70R2K2K-VB 是一款设计用于高压和小功率应用的 MOSFET,广泛应用于电源管理、家电、LED 驱动和工业控制等领域。其稳定的性能和高效的电源转换能力,使其成为现代电子设备中不可或缺的组件,适用于多种复杂应用的需求。

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