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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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NCE65T540K-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: NCE65T540K-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 500mΩ@VGS=10V
  • ID 9A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、NCE65T540K-VB 产品简介  
NCE65T540K-VB 是一款采用 **TO-252 封装**的 **单N沟道MOSFET**。该器件具备高耐压和低导通电阻的特点,适用于高压电路应用。其 **VDS 额定值为650V**,**VGS耐受范围为±30V**,能有效控制导通与关断。凭借 **500mΩ@VGS=10V 的导通电阻**和 **9A 的最大连续电流**,它在低损耗与高能效需求场合表现出色。此外,该器件采用 **SJ_Multi-EPI(超结多重外延)技术**,优化了导通性能和耐压能力,是工业与电力电子设备的理想选择。

---

### 二、详细参数说明  
| **参数**                  | **描述与数值**                           |
|---------------------------|------------------------------------------|
| **型号**                  | NCE65T540K-VB                           |
| **封装**                  | TO-252                                   |
| **沟道类型**              | 单N沟道(Single-N-Channel)              |
| **最大漏源电压(VDS)**  | 650V                                     |
| **栅源电压(VGS)**      | ±30V                                     |
| **阈值电压(Vth)**      | 3.5V                                     |
| **导通电阻(RDS(ON))**  | 500mΩ(@VGS = 10V)                     |
| **连续漏极电流(ID)**   | 9A                                       |
| **技术**                  | SJ_Multi-EPI(超结多重外延技术)         |
| **工作温度范围**          | -55°C 至 +150°C                          |
| **功耗(Ptot)**          | 78W                                      |

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### 三、应用领域与典型模块举例  
1. **光伏逆变器(Solar Inverters)**  
  在光伏发电系统中,NCE65T540K-VB 可用于直流到交流逆变器模块。其高耐压和低导通损耗有助于提高转换效率和设备可靠性。

2. **电动车充电桩(EV Chargers)**  
  该器件支持高压应用,适用于电动车充电桩的功率转换单元。在高压整流与开关电路中,其低损耗特性可减少热量产生,提高充电设备寿命。

3. **开关电源(Switch Mode Power Supplies, SMPS)**  
  在工业级电源设备和服务器电源中,该MOSFET能够高效处理大功率负载,并减少EMI干扰,是PFC(功率因数校正)模块的理想选择。

4. **工业电机驱动(Industrial Motor Drives)**  
  该器件能在高压电机控制系统中提供稳定的开关特性,用于变频器(VFD)等模块,为工业自动化提供高效能耗管理。

5. **不间断电源(UPS Systems)**  
  在UPS系统中,该MOSFET可用于高压旁路和电池管理模块,确保关键负载在供电中断时平稳切换,提高系统的安全性和可靠性。

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NCE65T540K-VB 的优良耐压能力、低导通损耗以及可靠的开关特性,使其成为各种工业、能源、和电力转换系统中的理想解决方案。

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