--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 500mΩ@VGS=10V
- ID 9A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、NCE65T540K-VB 产品简介
NCE65T540K-VB 是一款采用 **TO-252 封装**的 **单N沟道MOSFET**。该器件具备高耐压和低导通电阻的特点,适用于高压电路应用。其 **VDS 额定值为650V**,**VGS耐受范围为±30V**,能有效控制导通与关断。凭借 **500mΩ@VGS=10V 的导通电阻**和 **9A 的最大连续电流**,它在低损耗与高能效需求场合表现出色。此外,该器件采用 **SJ_Multi-EPI(超结多重外延)技术**,优化了导通性能和耐压能力,是工业与电力电子设备的理想选择。
---
### 二、详细参数说明
| **参数** | **描述与数值** |
|---------------------------|------------------------------------------|
| **型号** | NCE65T540K-VB |
| **封装** | TO-252 |
| **沟道类型** | 单N沟道(Single-N-Channel) |
| **最大漏源电压(VDS)** | 650V |
| **栅源电压(VGS)** | ±30V |
| **阈值电压(Vth)** | 3.5V |
| **导通电阻(RDS(ON))** | 500mΩ(@VGS = 10V) |
| **连续漏极电流(ID)** | 9A |
| **技术** | SJ_Multi-EPI(超结多重外延技术) |
| **工作温度范围** | -55°C 至 +150°C |
| **功耗(Ptot)** | 78W |
---
### 三、应用领域与典型模块举例
1. **光伏逆变器(Solar Inverters)**
在光伏发电系统中,NCE65T540K-VB 可用于直流到交流逆变器模块。其高耐压和低导通损耗有助于提高转换效率和设备可靠性。
2. **电动车充电桩(EV Chargers)**
该器件支持高压应用,适用于电动车充电桩的功率转换单元。在高压整流与开关电路中,其低损耗特性可减少热量产生,提高充电设备寿命。
3. **开关电源(Switch Mode Power Supplies, SMPS)**
在工业级电源设备和服务器电源中,该MOSFET能够高效处理大功率负载,并减少EMI干扰,是PFC(功率因数校正)模块的理想选择。
4. **工业电机驱动(Industrial Motor Drives)**
该器件能在高压电机控制系统中提供稳定的开关特性,用于变频器(VFD)等模块,为工业自动化提供高效能耗管理。
5. **不间断电源(UPS Systems)**
在UPS系统中,该MOSFET可用于高压旁路和电池管理模块,确保关键负载在供电中断时平稳切换,提高系统的安全性和可靠性。
---
NCE65T540K-VB 的优良耐压能力、低导通损耗以及可靠的开关特性,使其成为各种工业、能源、和电力转换系统中的理想解决方案。
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