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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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NCE65T1K2K-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: NCE65T1K2K-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1000mΩ@VGS=10V
  • ID 5A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、NCE65T1K2K-VB 产品简介  
NCE65T1K2K-VB 是一款 **单 N-沟道 MOSFET**,采用 **TO252 封装**,支持高压、高可靠性应用。该器件具有 **650V** 的漏源电压 (VDS) 和 ±30V 的栅源电压 (VGS),其开启阈值电压 (Vth) 为 **3.5V**。在 **VGS = 10V** 下,其导通电阻 (RDS(ON)) 为 **1000mΩ**,最大漏极电流 (ID) 为 **5A**。这款 MOSFET 基于 **SJ_Multi-EPI 技术**,在高压应用中展现优异的开关性能和高效率。TO252 封装确保良好的散热性能,使其适用于工业设备、电力控制等领域。

---

### 二、NCE65T1K2K-VB 详细参数说明  

| **参数**               | **数值**                  | **说明**                          |
|------------------------|---------------------------|----------------------------------|
| **封装类型**           | TO252                     | 小型表面贴装封装,散热性能良好 |
| **配置**               | 单 N-沟道 MOSFET          | 单通道开关器件                    |
| **漏源电压 (VDS)**     | 650V                      | 漏极与源极之间的最大电压         |
| **栅源电压 (VGS)**     | ±30V                      | 栅极与源极之间的最大电压         |
| **开启阈值电压 (Vth)** | 3.5V                      | 开启器件所需的最小电压           |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 1000mΩ (@VGS = 10V)       | 导通时的电阻                     |
| **最大漏极电流 (ID)**  | 5A                        | 可持续承载的最大电流             |
| **技术**               | SJ_Multi-EPI              | 提高器件的开关性能和效率         |

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### 三、应用领域与模块示例  

1. **工业电源控制系统 (Industrial Power Control):**  
  NCE65T1K2K-VB 非常适用于 **工业设备的高压电源管理**。它可在自动化设备和大型机械中用于电源转换和功率控制模块,确保设备在高电压条件下安全运行。

2. **电力逆变器 (Power Inverters):**  
  在 **光伏逆变器** 和 **风能逆变器** 等可再生能源系统中,该器件可以有效地控制能量转换,提高整体系统的转换效率。

3. **智能电表和配电系统 (Smart Meters & Distribution Systems):**  
  此 MOSFET 可用于 **智能电表** 和 **低压配电系统** 中,帮助电力公司优化能源管理,提高供电效率。

4. **LED 照明驱动 (LED Lighting Drivers):**  
  NCE65T1K2K-VB 可用于 **高功率 LED 驱动电源**,特别是在需要高压电源驱动的 LED 系统中,确保照明设备的稳定性和寿命。

5. **电动工具 (Electric Tools):**  
  该 MOSFET 适用于 **电动工具的电源模块**,提供稳定的功率支持,并确保工具在高负载下安全工作。

6. **电动汽车充电桩 (EV Chargers):**  
  在 **电动汽车充电桩** 中,该器件可用于控制高压电源的开关,确保充电过程高效、安全。

---

NCE65T1K2K-VB 是一款可靠的 **N-沟道 MOSFET**,适用于需要高压开关控制的场合。其 **SJ_Multi-EPI 技术** 提供了优异的电气性能,使其在能源转换和工业自动化等领域具备出色的应用价值。TO252 封装既保证了器件的紧凑性,又提供了良好的散热性能,非常适合现代电力电子设备的需求。

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