--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 500mΩ@VGS=10V
- ID 9A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、NCE65R540K-VB 产品简介
NCE65R540K-VB 是一款高压单 N 通道 MOSFET,采用 **TO252** 封装,专为高电压电力电子应用设计。该器件能够承受高达 **650V** 的漏极-源极电压 (V_DS),并支持 ±30V 的栅极-源极电压 (V_GS)。其阈值电压 (V_th) 为 3.5V,在适当的栅极电压下可快速导通。NCE65R540K-VB 在 V_GS=10V 时具有导通电阻 (R_DS(ON)) 为 500mΩ,虽然相对较高,但在特定应用中仍能有效地满足性能需求。最大漏极电流 (I_D) 为 **9A**,并采用 **SJ_Multi-EPI** 技术,提供出色的开关性能和热稳定性,适合高耐压和高效能的应用场景。
---
### 二、详细参数说明
| **参数** | **值** |
|--------------------|-----------------------------|
| **型号** | NCE65R540K-VB |
| **封装** | TO252 |
| **配置** | 单 N 通道 |
| **漏极-源极电压 (V_DS)** | 650V |
| **栅极-源极电压 (V_GS)** | ±30V |
| **阈值电压 (V_th)** | 3.5V |
| **导通电阻 (R_DS(ON))** | 500mΩ(V_GS=10V) |
| **漏极电流 (I_D)** | 9A |
| **技术** | SJ_Multi-EPI |
| **工作温度范围** | -55°C 至 150°C |
---
### 三、应用领域与模块示例
1. **电力变换器**
NCE65R540K-VB 非常适合用于电力变换器,尤其是在高压输入的场合,能够有效地处理高达 650V 的输入电压,同时保持合理的导通电阻,提高转换效率。
2. **开关电源**
该 MOSFET 可广泛应用于高频开关电源中,能够快速切换状态,从而降低开关损耗,确保高效的电能转换和管理。
3. **光伏逆变器**
在光伏逆变器中,NCE65R540K-VB 可用作主开关,保证高效的直流转交流转换,提升太阳能系统的整体能效。
4. **电动汽车充电系统**
在电动汽车充电站中,该器件能够作为高压直流-直流转换器的开关元件,提供稳定的高压电源,支持快速充电需求。
5. **工业电源管理**
NCE65R540K-VB 适合用于各种工业电源管理应用,例如电机控制和高压电源供应系统,提供可靠的开关性能,确保设备的安全与高效运行。
NCE65R540K-VB 的高耐压和可靠性使其在众多高电压应用中表现出色,是设计高效电力电子产品的理想选择。
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