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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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NCE65R540K-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: NCE65R540K-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 500mΩ@VGS=10V
  • ID 9A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、NCE65R540K-VB 产品简介  

NCE65R540K-VB 是一款高压单 N 通道 MOSFET,采用 **TO252** 封装,专为高电压电力电子应用设计。该器件能够承受高达 **650V** 的漏极-源极电压 (V_DS),并支持 ±30V 的栅极-源极电压 (V_GS)。其阈值电压 (V_th) 为 3.5V,在适当的栅极电压下可快速导通。NCE65R540K-VB 在 V_GS=10V 时具有导通电阻 (R_DS(ON)) 为 500mΩ,虽然相对较高,但在特定应用中仍能有效地满足性能需求。最大漏极电流 (I_D) 为 **9A**,并采用 **SJ_Multi-EPI** 技术,提供出色的开关性能和热稳定性,适合高耐压和高效能的应用场景。

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### 二、详细参数说明  

| **参数**           | **值**                      |
|--------------------|-----------------------------|
| **型号**           | NCE65R540K-VB               |
| **封装**           | TO252                       |
| **配置**           | 单 N 通道                   |
| **漏极-源极电压 (V_DS)** | 650V                     |
| **栅极-源极电压 (V_GS)** | ±30V                    |
| **阈值电压 (V_th)** | 3.5V                        |
| **导通电阻 (R_DS(ON))** | 500mΩ(V_GS=10V)        |
| **漏极电流 (I_D)** | 9A                           |
| **技术**           | SJ_Multi-EPI                |
| **工作温度范围**   | -55°C 至 150°C              |

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### 三、应用领域与模块示例  

1. **电力变换器**  
  NCE65R540K-VB 非常适合用于电力变换器,尤其是在高压输入的场合,能够有效地处理高达 650V 的输入电压,同时保持合理的导通电阻,提高转换效率。

2. **开关电源**  
  该 MOSFET 可广泛应用于高频开关电源中,能够快速切换状态,从而降低开关损耗,确保高效的电能转换和管理。

3. **光伏逆变器**  
  在光伏逆变器中,NCE65R540K-VB 可用作主开关,保证高效的直流转交流转换,提升太阳能系统的整体能效。

4. **电动汽车充电系统**  
  在电动汽车充电站中,该器件能够作为高压直流-直流转换器的开关元件,提供稳定的高压电源,支持快速充电需求。

5. **工业电源管理**  
  NCE65R540K-VB 适合用于各种工业电源管理应用,例如电机控制和高压电源供应系统,提供可靠的开关性能,确保设备的安全与高效运行。

NCE65R540K-VB 的高耐压和可靠性使其在众多高电压应用中表现出色,是设计高效电力电子产品的理想选择。

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