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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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NCE65R360K-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: NCE65R360K-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 370mΩ@VGS=10V
  • ID 11A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、NCE65R360K-VB 产品简介

NCE65R360K-VB 是一款高电压、高性能的 **单N沟道 MOSFET**,采用 **TO252** 封装,特别适合用于高压电力转换和开关应用。该器件具有 **650V** 的漏源电压 (VDS),能够满足多种工业应用中的高电压需求。它的 **栅源电压 (VGS)** 可达 ±30V,确保了器件在不同工作条件下的可靠性。NCE65R360K-VB 的 **开启阈值电压 (Vth)** 为 **3.5V**,在相对较低的栅压下即能导通,提升了开关速度。该器件在 **VGS=10V** 时的 **导通电阻 (RDS(ON))** 仅为 **370mΩ**,支持最大连续电流 **11A**,适合用于需要高效能和低功耗的应用场景。

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### 二、详细参数说明  

| **参数**              | **数值**              | **说明**                     |
|----------------------|----------------------|-----------------------------|
| **封装类型**         | TO252                | 适合高压和高功率应用的标准封装。 |
| **沟道类型**         | 单N沟道             | 适用于高效开关和功率控制。   |
| **漏源电压 (VDS)**  | 650V                 | 满足高压应用需求。          |
| **栅源电压 (VGS)**  | ±30V                 | 提供灵活的驱动选择。        |
| **开启阈值电压 (Vth)** | 3.5V               | 较低的阈值电压,快速导通。   |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 370mΩ@VGS=10V      | 在高电流下提供低损耗。      |
| **最大连续漏极电流 (ID)** | 11A                | 适合中等电流负载。         |
| **技术**              | SJ_Multi-EPI        | 采用多重 EPI 技术,增强电流承载能力。 |

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### 三、应用领域与模块示例

1. **电源转换**  
  - NCE65R360K-VB 可广泛应用于 **高压 DC-DC 转换器**,实现高效的电压转换和稳定的输出,提升电源系统的性能。  
  - 在 **不间断电源 (UPS)** 系统中,作为开关元件,提高电能转换效率,确保在停电时的可靠供电。

2. **工业设备**  
  - 在 **电机驱动系统**中,用于控制电动机的启动和停止,提升电机控制的响应速度和稳定性。  
  - 在 **自动化生产线**中,作为功率开关,确保设备的高效运行和能源管理。

3. **消费电子**  
  - 在 **LED 照明驱动器**中,NCE65R360K-VB 用作高压开关,控制 LED 灯的亮度和功率,提供高效、可靠的照明解决方案。  
  - 在 **便携式电源设备**中,作为电池管理系统中的关键开关,提高充电效率和使用寿命。

4. **汽车电子**  
  - 在 **电动汽车 (EV)** 的电池管理系统中,作为高压开关,确保电池组的安全管理和高效充电。  
  - 在 **汽车供电系统**中,NCE65R360K-VB 可用于控制高电压设备的开关,实现智能能源管理。

NCE65R360K-VB 凭借其优越的电气性能和高压能力,适用于多种行业和模块,包括电源管理、工业自动化、消费电子和汽车电子等,满足现代电力电子系统的高效能和可靠性需求。

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