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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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NCE60R900K-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: NCE60R900K-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 700mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、NCE60R900K-VB 产品简介

NCE60R900K-VB 是一款采用 **TO252 封装**的 **单N沟道 MOSFET**,适用于高压、高效的功率管理应用。该器件的 **漏源电压 (VDS)** 高达 **650V**,确保其能够在严苛的高压环境中稳定工作。**栅源电压 (VGS)** 范围为 ±30V,为驱动设计提供了较高的灵活性。其 **开启阈值电压 (Vth)** 为 **3.5V**,可在合适的栅极电压下快速导通。在 **VGS=10V** 时,器件的 **导通电阻 (RDS(ON))** 为 **700mΩ**,支持最大连续电流 **7A**。NCE60R900K-VB 采用先进的 **超结(SJ)和多重外延(Multi-EPI)技术**,实现了更低的导通损耗和更高的热稳定性,非常适合电力转换和开关应用。

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### 二、详细参数说明  

| **参数**              | **数值**              | **说明**                     |
|----------------------|----------------------|-----------------------------|
| **封装类型**         | TO252               | 适用于紧凑型电路板,提供良好散热。 |
| **沟道类型**         | 单N沟道             | 用于高效开关和功率控制。   |
| **漏源电压 (VDS)**  | 650V                 | 支持高电压系统的运行。     |
| **栅源电压 (VGS)**  | ±30V                 | 支持更广泛的驱动设计。     |
| **开启阈值电压 (Vth)** | 3.5V               | 在 3.5V 栅极电压时开始导通。 |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 700mΩ@VGS=10V       | 控制开关损耗,提升效率。 |
| **最大连续漏极电流 (ID)** | 7A                | 支持适度电流负载。        |
| **技术**              | SJ_Multi-EPI        | 实现高效能和热稳定性的工艺技术。 |

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### 三、应用领域与模块示例

1. **电源管理**  
  - 在 **LED 驱动器**中,NCE60R900K-VB 用于电源调节开关,确保 LED 系统的稳定亮度和高效运行。  
  - 在 **工业电源**中,用于隔离电源的高压转换,确保系统的能量管理和电路保护。

2. **电机控制**  
  - 在 **小型电机控制系统**中,如家用风扇和空调的压缩机控制,NCE60R900K-VB 可实现电机启动与调速的高效控制。  
  - 在 **电动阀门和执行器**中,作为高压开关,确保系统精准的动作和控制。

3. **汽车电子**  
  - 在 **车载照明系统**中,用于 LED 头灯和内部照明的驱动,确保长时间使用下的高效能和低热量。  
  - 在 **车载电源模块**中,NCE60R900K-VB 可以用于高压电源开关,确保电气系统的稳定供电。

4. **可再生能源系统**  
  - 在 **太阳能控制器**中,作为功率转换器件,提升光伏系统的效率和稳定性。  
  - 在 **储能系统**中,用作高压电池管理系统中的开关,保证电池充放电的安全和高效。

NCE60R900K-VB 凭借其高压承受能力、较低的导通损耗和良好的散热性能,成为高压转换、照明驱动和小型电机控制等应用的理想选择。

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