--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 500mΩ@VGS=10V
- ID 9A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
NCE60R540K-VB 是一款高压单 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为高电压和高电流应用设计。该器件采用 SJ_Multi-EPI 技术,具有出色的导通性能和热性能,适用于各种电力电子应用,提供可靠和高效的电源管理解决方案。
---
### 详细参数说明
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单 N 通道
- **漏极到源极电压 (VDS)**: 650V
- **栅极到源极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 500mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**: 9A
- **技术**: SJ_Multi-EPI
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### 应用领域和模块示例
1. **高压电源转换器**
NCE60R540K-VB 适用于高压开关电源和 DC-DC 转换器,能够处理高达 650V 的电压,适合在不间断电源(UPS)和工业电源系统中使用。
2. **电机控制**
在电机驱动应用中,该 MOSFET 能够有效地控制高电压直流电机,确保平稳的电流输出和高效的电机性能,广泛应用于工业自动化和机器人技术。
3. **汽车电气系统**
NCE60R540K-VB 可用于电动汽车和混合动力汽车的电源管理系统,确保高效能量转换和管理,提高电池使用效率。
4. **照明应用**
在高压照明系统中,如街道照明和大型商业照明,NCE60R540K-VB 可以作为开关元件,提供稳定的电源控制,实现高效的照明管理。
5. **家电设备**
该 MOSFET 适合在家电设备中使用,特别是在高功率电源模块中,能有效地提升能效并减少热量损失。
NCE60R540K-VB 的高电压处理能力、低导通电阻和可靠性能,使其成为电源管理、电机控制和照明等领域的理想选择,满足高效能和高可靠性的需求。
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