--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 370mΩ@VGS=10V
- ID 11A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### NCE60R360K-VB 产品简介
NCE60R360K-VB 是一款高性能单 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为高压应用设计。该器件的漏极-源极电压 (V_DS) 高达 650V,适用于高压电力转换和电源管理应用。它的栅极-源极电压 (V_GS) 范围为 ±30V,能够在各种工作条件下保持稳定。NCE60R360K-VB 的阈值电压 (V_th) 为 3.5V,确保在较低的栅极电压下就能有效导通。其导通电阻 (R_DS(ON)) 在 V_GS 为 10V 时为 370mΩ,最大漏电流 (I_D) 为 11A。该 MOSFET 采用 SJ_Multi-EPI 技术,具备出色的电气性能和可靠性,适用于广泛的高压电子设备。
---
### 详细参数说明
- **型号**: NCE60R360K-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单 N 通道
- **漏极-源极电压 (V_DS)**: 650V
- **栅极-源极电压 (V_GS)**: ±30V
- **阈值电压 (V_th)**: 3.5V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:
- 370mΩ(在 V_GS = 10V 时)
- **最大漏电流 (I_D)**: 11A
- **技术**: SJ_Multi-EPI
- **工作温度范围**: -55°C 至 150°C
---
### 适用领域和模块示例
1. **高压 DC-DC 转换器**
NCE60R360K-VB 适用于高压 DC-DC 转换器,能够处理高达 650V 的输入电压,确保电源系统的高效和稳定。
2. **开关电源(SMPS)**
在开关电源应用中,该 MOSFET 可作为高压开关元件,提升电源的性能,广泛应用于工业和消费电子领域。
3. **电动工具**
该器件在电动工具中可以用作高压开关,确保电动工具在高功率和高负载条件下的安全与稳定运行。
4. **太阳能逆变器**
NCE60R360K-VB 可用于太阳能逆变器中,帮助将直流电有效转换为交流电,支持可再生能源的利用。
5. **电动车充电器**
该 MOSFET 在电动车充电器中发挥重要作用,能够高效处理充电过程中的高电压和高电流需求,确保充电安全可靠。
NCE60R360K-VB 凭借其出色的电气特性和可靠性,是许多高压应用中理想的选择,特别是在电力电子和能源管理系统中的表现尤为突出。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12