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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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NCE60R360K-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: NCE60R360K-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 370mΩ@VGS=10V
  • ID 11A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### NCE60R360K-VB 产品简介  

NCE60R360K-VB 是一款高性能单 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为高压应用设计。该器件的漏极-源极电压 (V_DS) 高达 650V,适用于高压电力转换和电源管理应用。它的栅极-源极电压 (V_GS) 范围为 ±30V,能够在各种工作条件下保持稳定。NCE60R360K-VB 的阈值电压 (V_th) 为 3.5V,确保在较低的栅极电压下就能有效导通。其导通电阻 (R_DS(ON)) 在 V_GS 为 10V 时为 370mΩ,最大漏电流 (I_D) 为 11A。该 MOSFET 采用 SJ_Multi-EPI 技术,具备出色的电气性能和可靠性,适用于广泛的高压电子设备。

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### 详细参数说明  

- **型号**: NCE60R360K-VB  
- **封装**: TO252  
- **配置**: 单 N 通道  
- **漏极-源极电压 (V_DS)**: 650V  
- **栅极-源极电压 (V_GS)**: ±30V  
- **阈值电压 (V_th)**: 3.5V  
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:  
 - 370mΩ(在 V_GS = 10V 时)  
- **最大漏电流 (I_D)**: 11A  
- **技术**: SJ_Multi-EPI  
- **工作温度范围**: -55°C 至 150°C  

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### 适用领域和模块示例  

1. **高压 DC-DC 转换器**  
  NCE60R360K-VB 适用于高压 DC-DC 转换器,能够处理高达 650V 的输入电压,确保电源系统的高效和稳定。

2. **开关电源(SMPS)**  
  在开关电源应用中,该 MOSFET 可作为高压开关元件,提升电源的性能,广泛应用于工业和消费电子领域。

3. **电动工具**  
  该器件在电动工具中可以用作高压开关,确保电动工具在高功率和高负载条件下的安全与稳定运行。

4. **太阳能逆变器**  
  NCE60R360K-VB 可用于太阳能逆变器中,帮助将直流电有效转换为交流电,支持可再生能源的利用。

5. **电动车充电器**  
  该 MOSFET 在电动车充电器中发挥重要作用,能够高效处理充电过程中的高电压和高电流需求,确保充电安全可靠。

NCE60R360K-VB 凭借其出色的电气特性和可靠性,是许多高压应用中理想的选择,特别是在电力电子和能源管理系统中的表现尤为突出。

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